SK hynix - DRAM - LPDDR - LPDDR5

Thêm vào Yêu thích

RAM SK hynix SKU: SP001804

SK hynix DRAM LPDDR5 cung cấp hiệu suất cao với khả năng mở rộng gấp đôi và hiệu suất tiết kiệm điện vượt trội. Với dung lượng lên đến 18GB và tốc độ truyền tải 6.400Mbps, LPDDR5 của SK hynix là lựa chọn lý tưởng cho các thiết bị di động cao cấp, mang lại khả năng xử lý dữ liệu nhanh chóng và tiết kiệm năng lượng tối ưu.

Thêm vào So sánh

Mô tả
Thông số kỹ thuật

Tiến bộ về tiết kiệm điện năng

Khi các thương hiệu điện thoại di động bắt đầu áp dụng LPDDR5 làm tiêu chuẩn mới, SK hynix giới thiệu LPDDR5 làm sản phẩm chính của mình với dung lượng 18GB và tốc độ truyền tải 6.400Mbps. Sử dụng điện áp 1,05V, thậm chí thấp hơn mức 1,1V của LPDDR4X, LPDDR5 của chúng tôi là lựa chọn hoàn hảo cho các smartphone có dung lượng DRAM 8GB, 12GB và 18GB, hiện là các dung lượng phổ biến nhất trong thị trường cao cấp.

Khả năng thích ứng cao hơn 2x

LPDDR5 có 16 banks, gấp đôi số banks trên LPDDR4, cho phép thực hiện gấp đôi số lượng hoạt động trong một chu kỳ và hoạt động ở tốc độ gấp đôi là 6.400Mbps.

2x Higher Scability

Hiệu suất tiết kiệm điện cao

LPDDR5 tiêu thụ điện áp cung cấp 1,05V, thấp hơn 20% so với mức 1,1V cần thiết của LPDDR4X.

Ứng dụng

Mobile

Part No.	Density	Voltage (VDD1 / VDD2 / VDDQ)	Speed	Package	Product Status
H9JKNNNFB3AECR-N6H	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	496Ball	MP
H58GU6MK6HX042	2GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	496Ball	CS
H58GG6MK6GX037	2GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	496Ball	CS

PC

Part No.	Density	Voltage (VDD1 / VDD2 / VDDQ)	Speed	Package	Product Status
H9JKNNNFB3AECR-N6H	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	496Ball	MP
H9JCNNNCP3MLYR-N6E	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	CS
H9JCNNNBK3MLYR-N6E	2GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	CS
H9JCNNNFA5MLYR-N6E	8GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	CS

Automotive

Part No.	Density	Voltage (VDD1 / VDD2 / VDDQ)	Speed	Package	Product Status
H58G56AK6VX032	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	MP
H58G46AK6VX033	2GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	MP
H58G56AK6QX032	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	MP
H58G56AK6PX032	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	MP
H58G46AK6QX033	2GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	MP
H58G46AK6PX033	2GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	MP
H58G56MK6VX024	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	441Ball	MP
H58G66MK6QX026	8GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	441Ball	MP
H58G56MK6PX024	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	441Ball	MP
H58G66MK6PX026	8GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	441Ball	MP
H58G56MK6QX024	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	441Ball	MP
H58G66MK6VX026	8GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	441Ball	MP

Consumer

Part No.	Density	Voltage (VDD1 / VDD2 / VDDQ)	Speed	Package	Product Status
H9JCNNNCP3MLYR-N6E	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	CS
H58G46AK6JX033	2GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	CS
H58G56AK6JX032	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	CS
H9JCNNNBK3MLYR-N6E	2GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	315Ball	CS
H58G66MK6BX026	8GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	441Ball	CS
H58G56MK6BX024	4GB	1.8V / 1.05V / 0.5V	6400Mbps	441Ball	CS

General

Density: 1ch. 8-32Gb

Speed: 6400Mbps

Package type: PoP / MCP / Discrete

Application:

High-speed and low-power memory for high-performance smartphones and diverse applications
Provides high capacity and performance for mobile devices at 1.05V of low power