SK hynix - DRAM - HBM - HBM3E

Thêm vào Yêu thích

RAM SK hynix SKU: SP001806

SK hynix DRAM HBM3E mang lại hiệu suất đỉnh cao và băng thông siêu lớn cho các ứng dụng tiên tiến như AI, học máy và xử lý đồ họa. Với thiết kế hiện đại và độ tin cậy cao, HBM3E của SK hynix là giải pháp lý tưởng cho các hệ thống cần khả năng xử lý dữ liệu nhanh chóng và hiệu quả.

Thêm vào So sánh

Mô tả
Thông số kỹ thuật

HBM3E Tiếp Tục Dẫn Đầu Thị Trường AI

SK hynix đã ra mắt HBM3E để củng cố vị trí lãnh đạo không đối thủ trong thị trường bộ nhớ AI sau thành công với HBM3. Phiên bản mở rộng của HBM3 giúp tăng tốc độ quay vòng kinh doanh với nguồn cung cấp theo quy mô sản xuất hàng loạt lớn nhất ngành của HBM.

HBM3E

Cải thiện 10% Khả năng Chịu Nhiệt và Hiệu quả Năng lượng

SK hynix là công ty đầu tiên phát triển công nghệ đóng gói MR-MUF (Mass Reflow-Molded Underfill). Kỹ thuật này, đồng thời liên kết các chip với nhau thông qua reflow trong khi điền đầy các khoảng trống bằng vật liệu lỏng, rất quan trọng trong việc phát triển HBM có tính dẫn nhiệt cao. Cùng với công nghệ điều khiển chip, không chỉ ngăn ngừa cong vênh wafer, mà còn thêm vào vật liệu điền mới để tản nhiệt tốt hơn. Công nghệ MR-MUF tiên tiến đã cải thiện khả năng tản nhiệt của HBM3E lên 10% so với thế hệ trước, trong khi hiệu quả năng lượng cũng được cải thiện 10%.

Tăng 1.5 Lần Dung lượng & Băng thông với Kích thước Gói tương tự

HBM3E cung cấp dung lượng tối đa 36GB và tốc độ dữ liệu mỗi chân tối đa là 9.2Gbps, với băng thông tối đa vượt 1.18TB mỗi giây, cải thiện 1.4 lần so với HBM3 cả về dung lượng và băng thông.

SK hynix - DRAM - HBM - HBM3E