Tổng: đ0
SK hynix - DRAM - HBM - HBM2E
Thêm vào Yêu thíchSK hynix HBM2E DRAM mang đến hiệu suất bộ nhớ cực cao với dung lượng lớn và băng thông vượt trội. Với công nghệ HBM2E tiên tiến, sản phẩm này cung cấp tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn và khả năng xử lý đa nhiệm hiệu quả, lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu sức mạnh tính toán cao như AI, máy học và xử lý đồ họa chuyên sâu.
Giải pháp DRAM Nhanh nhất
DRAM HBM2E 16Gb 1ynm của SK hynix là bộ nhớ nhanh nhất trong ngành với tốc độ I/O lên đến 3,6Gbps, xử lý 460GB dữ liệu mỗi giây qua 1.024 I/O. Với khả năng tản nhiệt tốt hơn 36% so với HBM2 trước đó, HBM2E mới của chúng tôi mang lại hiệu suất mạnh mẽ và hiệu quả cho hệ thống của bạn.
Xu hướng Hiệu suất HBM
SK hynix dẫn đầu thị trường HBM với những mục tiêu đầy tham vọng cho các giải pháp HBM nhanh hơn: HBM3 đang được phát triển sẽ có khả năng xử lý dữ liệu với tốc độ 819GB/s hoặc cao hơn với tốc độ 6,4Gbps mỗi chân. Với hiệu suất năng lượng vượt trội gấp hơn 2 lần so với DDR hoặc GDDR cho cùng một khối lượng công việc, HBM giảm tổng chi phí sở hữu (TCO) – tinh hoa của sáng kiến Memory ForEST* của chúng tôi.
Cải thiện Nhiệt
HBM2E của chúng tôi có khả năng tản nhiệt tốt hơn 36% so với HBM2, cho phép bộ nhớ hoạt động mát hơn trung bình 14 độ Celsius trong cùng điều kiện vận hành.
Tăng băng thông lên đến 9x, Cải thiện dung lượng thế hệ gấp đôi
So với băng thông 2,4GB/s của DDR5 và 64GB/s của GDDR6, HBM2E có thể hoạt động nhanh hơn đến 9 lần, xử lý 460GB dữ liệu mỗi giây. HBM2E cũng gấp đôi mật độ so với HBM2 thế hệ trước bằng cách cung cấp giải pháp 16GB với sự kết hợp của tám chip DRAM 16Gb, so với mật độ chip lõi 8Gb trên HBM2.
Tìm kiếm theo thông số kỹ thuật
General
Density: 8-16GB
Speed: 3.2-3.6Gbps (410-460GB/s)
Package type: KGSD
Available Stack: 4,8Hi
Application:
High-bandwidth memory with 460GB/s bandwidth from vertically stacked DRAM chips using Through Silicon Via (TSV)
Premium memory solution optimized for deep learning accelerators and AI systems
-87172aa372853.png)
-95b96d7461e13.jpg)
.png)
.png)
