Tổng: đ0
Intel® Xeon® E5520
Thêm vào Yêu thích4 nhân và 8 luồng đáp ứng nhu cầu đa nhiệm.
Hỗ trợ bộ nhớ DDR3 ECC Registered.
Cải thiện hiệu suất và tính bảo mật của hệ thống máy chủ.
490,000 đ
Thêm vào So sánhIntel® Xeon® E5520 là một trong những bộ vi xử lý dòng Xeon của Intel, được thiết kế để cung cấp hiệu suất ổn định và đáng tin cậy cho các hệ thống máy chủ và trung tâm dữ liệu. Với 4 nhân và 8 luồng xử lý, E5520 đáp ứng nhu cầu đa nhiệm của các ứng dụng nặng, từ công việc văn phòng đến các tác vụ tính toán phức tạp.
Bộ vi xử lý này được xây dựng trên nền công nghệ Nehalem của Intel, mang lại hiệu suất tối ưu và tiết kiệm năng lượng. Tích hợp công nghệ Intel® Turbo Boost để tăng tốc độ xử lý khi cần thiết, E5520 giúp cải thiện khả năng đáp ứng của hệ thống trong các tình huống khắc nghiệt.
Với hỗ trợ cho bộ nhớ DDR3 ECC Registered, E5520 đảm bảo tính ổn định và an toàn cho dữ liệu quan trọng. Các tính năng bảo mật nâng cao như hệ thống kiểm soát lỗi và mã hóa phần cứng cũng giúp bảo vệ thông tin quan trọng của bạn trước các mối đe dọa tiềm ẩn.
General
Thông tin chung
Tên mô hình: E5520
Số hiệu Bộ xử lý CPU: AT80602002091AA
Số hiệu hộp: BX80602E5520
Tần số (MHz): 2267
Tốc độ Bus (MHz): 2933 MHz QPI
Gói lắp ráp: 1366-land Flip-Chip Land Grid Array (FC-LGA8)
Kích thước: 1.77" x 1.67" (4.5 cm x 4.25 cm)
Socket: Socket 1366
Technical Specs
Kiến trúc / Kiến trúc vi mô
Lõi Bộ xử lý: Nehalem-EP
Bước nhảy lõi: C0? (Q1EA), D0 (SLBFD)
Quy trình sản xuất: 0.045 micron
Chiều rộng dữ liệu: 64 bit
Số lõi: 4
Đơn vị dấu phẩy động: Được tích hợp
Kích thước bộ nhớ cache cấp 1:
4 x 32 KB cho bộ nhớ cache lệnh
4 x 32 KB cho bộ nhớ cache dữ liệu
Kích thước bộ nhớ cache cấp 2: 4 x 256 KB
Kích thước bộ nhớ cache cấp 3: 8 MB
Bộ nhớ vật lý (GB): 144
Đa xử lý: Lên đến 2 bộ xử lý
Các tính năng:
Bộ lệnh MMX
SSE
SSE2
SSE3
SSE3 bổ sung
SSE4.1
SSE4.2
Công nghệ EM64T
Công nghệ ảo hóa
Bit Execute Disable
Công nghệ Turbo Boost
Công nghệ Hyper-Threading
Các tính năng tiết kiệm điện:
Trạng thái Thread C1/C1E, C3 và C6
Trạng thái lõi C1/C1E, C3 và C6
Trạng thái gói lắp C1/C1E, C3 và C6
Công nghệ Enhanced SpeedStep
Các thành phần tích hợp trên chip:
Bộ điều khiển bộ nhớ SDRAM DDR3 6 kênh tích hợp
Liên kết Quick Path Interconnect (2 liên kết)
Connectivity
Thông số điện / nhiệt độ
Điện áp V core (V): 0.75 - 1.35
Nhiệt độ hoạt động tối thiểu/tối đa (°C): 5 - 76
Công suất tiêu thụ tối đa (W): 173.59
Công suất tiêu thụ tối đa (W) duy trì: 137.17
Nhiệt lượng thiết kế (W): 80
Ghi chú về Intel AT80602002091AA
Bộ điều khiển bộ nhớ hỗ trợ bộ nhớ DDR3-800 và DDR3-1066
-87172aa372853.png)
-95b96d7461e13.jpg)
.png)
.png)
