RAM SamSung - DDR5 - 16GB - bus 4800

DDR5 mở ra sự đổi mới lấy dữ liệu làm trung tâm

DDR5 đáp ứng nhu cầu của các ngành công nghiệp đang trải qua sự bùng nổ dữ liệu lớn. Một mức độ tốc độ mới, dung lượng cải thiện và độ tin cậy được tăng cường được tích hợp trong DDR5 để nâng cao hiệu suất tổng thể của hệ thống. Công nghệ bộ nhớ của Samsung thúc đẩy kỷ nguyên đổi mới thân thiện với môi trường với DDR5 tiết kiệm năng lượng.

Tốc độ đáng kinh ngạc cho dữ liệu thời gian thực khổng lồ

Với tốc độ truyền vượt trội lên đến 7.200 Mbps, DDR5 xử lý hiệu quả các yêu cầu ngày càng tăng của khối lượng dữ liệu phức tạp hơn. DDR5 mang lại sự gia tăng hiệu suất hơn gấp đôi so với DDR4, với độ dài burst tăng gấp đôi từ 8 lên 16, và số bank tăng từ 16 lên 32. Hiệu suất đáng kinh ngạc này nâng cao khả năng xử lý dữ liệu lớn, đồng thời xử lý mượt mà nội dung 8K.

Dung lượng gấp đôi để thúc đẩy đổi mới trong ngành

Công nghệ quy trình 10nm-class và EUV của Samsung đã phát triển mô-đun bộ nhớ DDR5 512 GB lớn nhất trong ngành. Dung lượng gấp đôi này cho phép người dùng xử lý các khối lượng công việc nặng cùng lúc một cách linh hoạt, đồng thời cung cấp khả năng mở rộng cho sự đổi mới trong tương lai.

Độ tin cậy mạnh mẽ với giải pháp tự động sửa lỗi

Công nghệ mã sửa lỗi (ODECC) tích hợp trong DDR5 giúp duy trì độ tin cậy dữ liệu an toàn và ổn định, để tận dụng tối đa hiệu suất mạnh mẽ. ODECC hầu như loại bỏ các lỗi bit đơn, nâng cao độ tin cậy ngay cả khi đối mặt với những yêu cầu khắt khe của dữ liệu lớn.

Lựa chọn tiết kiệm năng lượng để bảo vệ hành tinh của chúng ta

DDR5 đạt được hiệu quả năng lượng cao hơn 30% so với DDR4 thông qua hiệu suất cải thiện và giảm tiêu thụ điện năng. Việc thay thế DDR4 của trung tâm dữ liệu bằng DDR5 tiết kiệm năng lượng lên đến 1TWh hàng năm. PMIC trên-DIMM còn tăng cường hiệu quả quản lý năng lượng và sự ổn định của nguồn điện. Đây là lựa chọn bền vững toàn diện cho môi trường của chúng ta.